产品特性
内核处理器
Ø 基于ARMv8-M架构,支持Cortex-M33和Cortex-M4F指令集,支持浮点运算和DSP
Ø 支持32位单周期乘法和硬件除法(2-12周期)指令
Ø 最高180MHz系统工作频率
Ø 内置16KB指令Cache及8KB数据Cache,支持Flash加速单元执行程序0等待
存储器
Ø 16KB ROM
Ø 多达128KB SRAM
Ø 内置QSPI FLASH,容量512KB/1MB/2MB,支持直接取指执行模式(eXecute-In-Place,XIP),支持OTFDEC(AES-CTR)解密方式取指
时钟
Ø 内部64MHz RC振荡器
Ø 内部32KHz RC振荡器
Ø 4~32MHz外部晶体振荡器
Ø 内置PLL
安全特性
Ø 对称算法:AES128/192/256
Ø 随机数:TRNG,符合FIPS140-2要求
Ø CRC:CRC-7/-8/-16/-32,特征多项式可配
Ø 支持安全启动,程序加密下载,安全更新
Ø 128位UID
Ø LVD:低电压检测,可配置8阶比较电平
通用IO
Ø 多达24个GPIO,支持边沿/电平中断,支持位带操作
Ø 所有 I/O 口可以映像到 16 个外部中断,支持边沿/电平中断
Ø 所有端口均可输入输出电压不高于 VDD 的信号
Ø 4个 5V 耐压 I/O 端口
Ø 4路低功耗唤醒(WKUP)引脚
通信接口
Ø UART:2路串口,支持IrDA、LIN、硬件流控、多机通信、ISO7816主机模式、波特率自适
Ø SPI:2路SPI接口,支持主/从模式,支持Mode0/1/2/3传输协议,支持1/2/4线传输。
Ø I2C:1路I2C接口,可选择主/从模式,支持Standard/Fast/Fast-Plus三种速率模式
定时计数器
Ø 4个16位通用定时器(TIM3/6/14/15),支持PWM输出
Ø IWDT:1个独立WDT
模拟外设
Ø PCOM:1个可编程模拟比较器,支持3通道,256档位,其中一个通道用于VBAT电量检测
电气参数
Ø ESD:4KV(HBM)
Ø 工作电压:2.7V~3.6V
Ø 工作温度(Ta):Ta-40℃~85℃
Ø 典型功耗:
n 工作功耗:14 mA@180MHz
n Stop模式:285uA@3.3V,25℃
n Power Down模式:1uA@3.3V,25℃
封装形式
Ø QFN32(4X4)
Ø QFN20(3X3)
开发支持
Ø ROM BOOT、支持UART/SPI下载
Ø DAP/ULINK2/J-LINK SWD接口调试
Ø ARM Keil MDK(5.29版本及以上)
Ø 开发板/开发包,支持SWD离线下载